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金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，成都奕成集成电路有限公司申请一项名为“掩膜版及掩膜版的制备方法”的专利，公开号 CN A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种掩膜版及掩膜版的制备方法。所述掩膜版包括：玻璃基板、掩膜层及半透膜层。掩膜层位于在玻璃基板上，掩膜层在玻璃基板上形成掩膜图案，其中，掩膜图案包括由掩膜本体围合形成的掩膜开口以及位于掩膜开口内的掩膜单元。半透膜层位于玻璃基板设置掩膜层的一侧，半透膜层位于掩膜开口内，半透膜层用于调节掩膜开口处的光透过能量。如此，通过上述掩膜版的结构，可以调整不同区域的曝光能量，能够有效提升多层重布线层(RDL)的封装边缘能量，进而改善前层钝化层在封装边缘出现变形或者裂纹等情况，而且在一定程度上提升封装基板的排布效率，增强了封装的可靠性和耐用性。
本文源自金融界
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