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引脚名称 |
引脚功能 |
CLE |
命令锁存功能 |
ALE |
地址锁存功能 |
/CE |
芯片使能 |
/RE |
读使能 |
/WE |
写使能 |
/WP |
写保护 |
R/B |
就绪/忙输出信号 |
Vcc |
电源 |
Vss |
地 |
N.C |
不接 |
IO0~IO7 |
数据传输、命令、地址 |
二、存储组织形式
因为flash的工艺不一样,技术不一样。由此产生了die
概念。
常见的有Mono Die,a Die。 b die等,一个chip包括N个die
一个plane就是一个存储矩阵。包括若干个Block
OOB/Spare Area
每个页,相应另一块区域。叫做空暇区域(SpareArea)。在Linux系统中。一般叫做OOB(Out of Band)。
数据在读写的时候相对easy错误,所以为了保证数据的正确性。必需要有相应的检測和纠正机制,此机制叫做ECC/EDC,所以设计了多余的区域,用于存放数据的校验值。
OOB的读写是随着随着页的操作一起完毕的。
OOB的详细用途包含下面几个方面:
► 标记所处的block是否为坏块
► 存储ECC数据
► 存储一些和文件系统相关的数据。如jaffs2就会用到这些空间存储一些特定信息。而yaffs2文件系统。会在 oob中存放非常多和自己文件系统相关的信息
一个16G的NAND的存储结构大致例如以下:
一个16G的NANDFlash须要34位地址,而传输地址的IO口是8位的。因此须要5个循环来传输地址信息。
NAND Flash中的坏块
Nand Flash 中。一个块中含有1 个或多个位是坏的,就称为其为坏块Bad Block。坏块的稳定性是无法保证
的。也就是说,不能保证你写入的数据是对的。或者写入对了。读出来也不一定对的。与此相应的正常的块。肯定
是写入读出都是正常的。
坏块有两种:
(1)出厂时就有存在的坏块:
一种是出厂的时候。也就是,你买到的新的,还没用过的Nand Flash,就能够包括了坏块。此类出厂时就 有的坏块,被称作factory (masked) bad block 或initial bad/invalid block,在出厂之前,就会做相应的标记,
标为坏块。
(2) 使用过程中产生的坏块:
第二类叫做在使用过程中产生的,因为使用过程时间长了,在擦块除的时候,出错了,说明此块坏了,也
要在程序执行过程中,发现。而且标记成坏块的。详细标记的位置。和上面一样。这类块叫做worn-out
bad block。即用坏了的块。
SLC和MLC的实现机制
NANDFlash依照内部存储数据单元的电压的不同层次。也就是单个内存单元中。是存储1位数据,还是多位数 据,能够分为SLC和MLC。
► SLC(Single Level Cell)
单个存储单元仅仅存储1位,表示1或0。
对于Nand Flash写入1,就是控制ExternalGate去充电。使得存储的电荷够多,超过阈值Vth,就表示1了。
而对于写入0。就是将其放电。电荷降低到小于Vth,就表示0了
► MLC(Multi Level Cell)
与SLC相应的,就是单个存储单元能够存储多个位。比方2位、4位等。
事实上现机制就是,通过控制内部电荷
的多少。分成多个阈值,从而储存为不同的数据。
单个存储单元能够存储2位数据的,称作2的2次方 = 4 LevelCell
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