模拟电路、数字电路学习笔记

模拟电路难学，数字电路难学，小编整理了30条模拟电路、数字电路学习笔记，希望对大家有所帮助。只有打牢地基，做项目时才能少走弯路。

1、 HC为COMS电平，HCT为TTL电平

2、 同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等

3、LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， HC一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求

4、 LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同

5、 工作电压：LS只能用5V，而HC一般为2V到6V

6、 反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念

7、 CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的。TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻，将2.4V~3.6V之间的电压上拉起来，让CMOS检测到高电平输入

8、 驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA;而CMOS的高低电平均为5mA
9、PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了
10、 高频电路中，必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容)
11、 点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路
12、 硅管正向导通压降0.7V,锗管为0.2V
13、 齐纳二极管(稳压管)工作于反向击穿状态
14、 肖特基二极管(Schottky,SBD)适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低(0.2V)但是反向击穿电压较低，漏电流也较大
15、 光电二极管(将光信号转为电信号)
16、二极管的主要参数：整流电流，反相电压，漏电流
17、 三极管有发射极(浓度<需要发射电子(空穴)嘛，当然浓度高了>)，集电极，基极(浓度)。箭头写在发射极上面<发射的东西当然需要箭头了!>
18、发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式：共基极，共发射极(多，因为电流，电压，功率均可以放大)，共集电极。判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出;共集电极，由基极输入，发射极输出;共基极，由发射极输入，集电极输出。

19、 COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS

20、 当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻

21、 在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平

22、 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT的芯片，因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。

23、 逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)，逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流)

24、 由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样漏极开路形式就可以连接不同电平的器件，用于电平转换。需要注意的一点：在上升沿的时候通过外部上拉无源电阻对负载进行充电，所以上升沿的时间可能不够迅速，尽量使用下降沿
25、三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，(集电极允许电流，集电极允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域)
26、三极管数学模型：单管电流放大
27、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响(双电源更好)
28、三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好
29、去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路
30、BJT是一种电流控制电流型器件(双极型)，FET是一中电压控制电流器件(单极型)