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MOSFET的饱和区和线性区都表现为沟道开启的状态,但是两者的根本区别在于,沟道是否遭遇夹断。
栅极电压会均匀地改变沟道宽度,而源-漏电压会使沟道宽度在漏极一侧不均匀变化,进而导致沟道在漏极端首先被夹断。
在MOSFET的线性区,由于源-漏电压相对较低,整个沟道宽度从头到尾变化并不大,这使得栅极电压对沟道导电的控制能力相对较弱,因此跨导相对较小。
随着源-漏电压的增加,沟道宽度的变化幅度提升,尤其是漏端沟道宽度的变小,增强了栅极电压对沟道导电的控制,导致跨导增大。
而在饱和区,源-漏电压较高,沟道夹断,即漏极端沟道宽度降至0,此时栅极电压对沟道导电的控制能力极强(即使微小的栅极电压变化,也能控制沟道的导通与截止),因此这时的跨导很大,饱和区的跨导值远大于线性区跨导。
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