为什么MOSFET的饱和区跨导大于线性区的跨导?

为什么MOSFET的饱和区跨导大于线性区的跨导?MOSFET 的饱和区和线性区都表现为沟道开启的状态 但是两者的根本区别在于 沟道是否遭遇夹断 栅极电压会均匀地改变沟道宽度 而源 漏电压会使沟道宽度在漏极一侧不均匀变化 进而导致沟道在漏极端首先被夹断

大家好,欢迎来到IT知识分享网。

MOSFET的饱和区和线性区都表现为沟道开启的状态,但是两者的根本区别在于,沟道是否遭遇夹断。

栅极电压会均匀地改变沟道宽度,而源-漏电压会使沟道宽度在漏极一侧不均匀变化,进而导致沟道在漏极端首先被夹断。

在MOSFET的线性区,由于源-漏电压相对较低,整个沟道宽度从头到尾变化并不大,这使得栅极电压对沟道导电的控制能力相对较弱,因此跨导相对较小。

随着源-漏电压的增加,沟道宽度的变化幅度提升,尤其是漏端沟道宽度的变小,增强了栅极电压对沟道导电的控制,导致跨导增大。

而在饱和区,源-漏电压较高,沟道夹断,即漏极端沟道宽度降至0,此时栅极电压对沟道导电的控制能力极强(即使微小的栅极电压变化,也能控制沟道的导通与截止),因此这时的跨导很大,饱和区的跨导值远大于线性区跨导。

免责声明:本站所有文章内容,图片,视频等均是来源于用户投稿和互联网及文摘转载整编而成,不代表本站观点,不承担相关法律责任。其著作权各归其原作者或其出版社所有。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容,侵犯到您的权益,请在线联系站长,一经查实,本站将立刻删除。 本文来自网络,若有侵权,请联系删除,如若转载,请注明出处:https://yundeesoft.com/98058.html

(0)

相关推荐

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

关注微信