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场效应管是一种 电压控电流 的器件。其中，我们常用的 MOS 管是由是金属（metal）、氧化物（oxide）、半导体（semiconductor）组成的场效应晶体管。下文着重介绍以增强型 N 管。
场效应管的引脚与三极管相对应：栅极 / 门极（G）对应基极（b），漏极（D）对应集电极（c），源极（S）对应发射级（e）。箭头指电子运动的方向。
所有场效应管在正常工作时，门级都不会有电流。所以，漏极电流一定等于源极电流。其核心是用 GS 两端电压来控制漏极电流。所以也称为压控型元器件。
MOS 管的引脚定义
MOS 管有三个引脚（G，S，D）其定义如下：
- G：gate / 栅极
- S：source / 源极
- D：drain / 漏极
N 沟道的电源一般接在 D，输出接 S；P 沟道的电源一般接在 S，输出接 D，增强型 / 耗尽型接法基本一样。
MOS 管的 source 和 drain 是可以对调的，他们都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型区，在大多数情况下，这个两个区是一样的，即使对调也不会影响性能。
寄生二极管
由于生产工艺，MOS 管会有寄生二极管，或称体二极管。
当满足 MOS 管的导通条件时，MOS 管的 D 极和 S 极会导通，这个时候体二极管是截止状态。因为 MOS 管导通内阻很小，不足以使寄生二极管导通。
MOS 管的导通条件
MOS 管是压控型，由 G 和 S 极之间压差决定是否导通。
对 N-MOS 来说，当 Vg−Vs>Vgs(th) 即可导通。
对 P-MOS 来说，当 Vs−Vg>Vgs(th) 即可导通。
增强型 MOS 管的特性
增强型 MOS 管的结构，是在 P 型硅衬底上，制作两个 N 型沟槽，用铝从其引出两个电极分别作为源极 S 和漏极 D（此时 D/S 可互换），然后在半导体的表面覆盖一层很薄的 SiO2 绝缘层，在漏源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极 G，在衬底上也引出一个电极 B。因为出厂时大多把衬底已经和源极连在一起，所以此时 D/S 不可互换
如图是增强型 MOSFET 的伏安特性曲线，左图为转移特性，右图为输出特性，他们共用纵轴。
伏安特性的关键要素：
- 开启电压 UGS(th)：从图中可以看出 UGS(th)=1V。当 UGS<UGS(th) 时，无论 UDS 多大，电流 iD 始终为 0。当 UGS>UGS(th) 时，MOSFET 才算开启。
- 恒流区方程：\(i_D = K(u_{GS}-U_{GS_(th))^2\)，其中，K 影响转移特性曲线的增长速率（单位是 A/V2）
- 可变电阻区和恒流区的分界线：随着 UGS 增加，分界点电压 UDSdv 也在增加，且满足 UDSdv=UGS−UGS(th)
MOSFET 工作状态
MOSFET 不同于三极管，因为某些型号封装内有并联二极管，所以其 D 和 S 极是不能反接的，且 N 管必须由 D 流向 S，P 管必须由 S 流向 D。可以用下表判断工作状态：
几个工作区:
- 截止区：当 UGS 小于开启电压 UGS(th) 时，MOS 不导通。
- 可变电阻区：UDS 很小，ID 随 UDS 增大而增大。
- 恒流区：UDS 变化，ID 变化很小。
- 击穿区：UDS 达到一定值时，MOS 被击穿，ID 突然增大，如果没有限流电阻，将被烧坏。
- 过损耗区：功率较大，需要加强散热，注意最大功率。
MOSFET 主要参数
直流参数：
- 开启电压 UGS(th)：增强型 MOS 的参数。指当 UDS 不变时，使得 iD>0 所需最小的 |uGS| 的值。
- 夹断电压 UGS(off)：结型场效应管和耗尽型 MOS 的参数，与 UGS(th) 相似，代表当 UDS 不变时，iD 为规定的微小电流时的 uGS。
- 直流输入电阻 UGS(DC)：栅 – 源电压与栅极电流之比，一般 MOS 的 UGS(DC)>109Ω。
选型关键参数：
- 击穿电压 V_BRDSS
- 随温度变化，应留足余量
- 导通电阻 R_DS (on)
- 导通电阻正温度系数，适合并联工作
- 导通电阻越小，导通损耗越小
- 导通电阻越小，Qg 就越大，相应的开关速度变慢
- 带来的开关损耗越大，高频工作下需要折中考虑
- 最大结温
- 永远不能超过最大结温
- 只能测量壳温后通过热阻计算而得
- 动态电容和 Qg
- 不是固定值，取决于工作条件
- 作为开关时希望快速打开，需要一个驱动芯片提供瞬间大电流
- 作为缓启动 MOS，需要慢慢打开，有效抑制浪涌电流
N-MOS：
- 门极需要一个比源极更高的电压驱动
- 更好的性能
- 更多的选择
- 更低的成本
P-MOS：
- 门极需要一个比源极低的电压驱动
- 不需要更高的电压驱动，驱动简单
三极管与场效应管的对比
| 三极管 | 场效应管 | |
|---|---|---|
| 特性 | 电流控电流 | 电压控电流 |
| 输入阻抗 | 低 | 高 |
| 噪声 | 大 | 小 |
| 反应速度 | 快 | 慢 |
反馈
定义：将放大电路输出端信号（电压 / 电流）一部分或全部引回到输入端，与输入信号进行叠加。
MOS 管常见的封装
SOT 封装
SOT（Small Out-Line Transistor，小外形晶体管封装）封装一般用于小功率 MOS 管。
SOT-23 封装：
SOT-89 封装：
TO 封装
TO（Transistor Out-line，晶体管外形）是比较早期的封装规格，原来多为直插封装（例如 TO-92，TO-220，TO-252），后来也慢慢进化到标贴式封装。TO252 和 TO263 是其典型，其中 TO-252 又称之为 D-PAK，TO-263 又称之为 D2PAK。
D-PAK 封装的 MOS 管有 3 个电极，其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是用背面的散热板作为漏极，能输出更大电流的同时也能更好地散热。
TO-252 封装：
TO-263 封装：
SOP 封装
SOP（Small Out-Line Package，小外形封装），也叫 SO、SOL 或 DFP。通常有 SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28 等等（数字表示引脚数）。MOS 的 SOP 封装多数采用 SOP-8 规格。
SOP-8 封装：
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