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金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“掩膜版图形的形成方法及掩膜版”的专利，公开号 CN A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种掩膜版图形的形成方法及掩膜版，所述方法包括：获取功能图形和预设光学参数；其中，所述预设光学参数是所述功能图形通过光刻工艺形成的半导体结构满足目标要求时的光学参数；获取初始对准图形；其中，所述初始对准图形位于所述功能图形的外围，所述初始对准图形在所述预设光学参数下曝光后存在旁瓣图形；在所述预设光学参数下，对所述初始对准图形中至少部分存在所述旁瓣图形的区域进行修改，得到修改后的对准图形；对所述修改后的对准图形与所述旁瓣图形进行对比验证，以得到对准标记图形。
本文源自金融界
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