CMOS和TTL电路区别

CMOS和TTL电路区别1、CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路)2、COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差4、CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)5、CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容…

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1、CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路)

2、COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作

3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差

4、CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)

5、CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当

6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大

7、通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大,工作速度越低。

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扩展资料:

CMOS使用注意事项

1、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。

2、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。

3、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。

4、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

5、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。

什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别
(一)TTL高电平3.65V,低电平0V2.4V
CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为
0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平
另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容
(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准
输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。
输入 L: <1.2V ; H:>2.0V
TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。

CMOS电平:
输出 L: <0.1Vcc ; H:>0.9Vcc。
输入 L: <0.3Vcc ; H:>0.7Vcc.

TTL和COMS电路比较:
1、TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2、TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25–50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3、COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生
锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
防御措施:
(1)、在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
(2)、芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
(3)、在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
(4)、当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电
源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。

4、COMS电路的使用注意事项
(1)、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉
电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
(2)、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。
(3)、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
(4)、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
(5)、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。

参考:百度

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