大家好,欢迎来到IT知识分享网。
平时我们说起内存时通常特指”DRAM”内存,比如手机内存容量6GB。如果有人把手机里的128GB闪存存储叫成内存,一定会有小伙伴们嘲笑他无知。
但RAM和ROM几十年前是一家,它们有个共同的名字:Memory,港台翻译成记忆体,大陆翻译为内存,即广义上的内存。RAM断电后会丢失存储的数据,而ROM则能在断电后继续保持其中的数据完整性。
作为当代个人计算机x86架构的奠基者,英特尔发明了SRAM、DRAM内存以及早期的ROM只读存储器,前者存储运行中的数据,容量更大的后者放置开机所需的固件,或者关机后需要继续保存的内容。下图是1971年的英特尔4002 SRAM内存,容量320比特,也就是40字节,仅相当于20个汉字的容量。
虽然从文字上说,ROM是只读存储器,实际上除了Mask ROM是真正只能读取之外,其他类型的ROM都是可以写入的,只是有不同的使用限制。手机ROM狭义上是指安卓系统固件,广义上也包含了用于存储用户数据的空间,由下文中的闪存承载。
上世纪80年代东芝以EEPROM为基础发明了更好用的存储器——Flash闪存。NOR是最早出现的闪存类型,但得到更广泛应用的则是1984年由东芝宣布的NAND型闪存。
在以上几种记忆体技术当中,NAND闪存的出现最晚,但它的意义却非比寻常。
闪存的特点使得它比DRAM内存更具扩展性,除了通过半导体制程微缩之外,3D堆叠和多位存储单元技术也为闪存容量的扩展提供了宽广的空间。特别是3D堆叠技术发展促成了当前闪存容量的突飞猛进。下图是东芝96层堆叠BiCS4闪存,单颗容量可达1.33TB。
在3D闪存的帮助下,480GB已经取代120GB和240GB,成为新的固态硬盘主流容量级。960GB不再是土豪专属,2TB甚至4TB容量的消费级固态硬盘也不断涌现出来。
3D闪存除了能提升存储容量,还能发展更迷你的固态硬盘。如下图中的RC100固态硬盘, 整个M.2 NVMe只用到一颗芯片,是不是很新奇?
利用MCP多芯片封装技术搭配BiCS高容量闪存,东芝仅用一颗芯片就能达成高达480GB的容量。而在若干年前,256GB的容量就要用掉16颗闪存颗粒才能凑齐。
在多数玩家的眼中,闪存早已脱离了”内存”的范畴。利用东芝BiCS4 QLC闪存可以轻松实现单颗1TB以上存储容量,取代硬盘成为新时代里电脑的主要存储器。
免责声明:本站所有文章内容,图片,视频等均是来源于用户投稿和互联网及文摘转载整编而成,不代表本站观点,不承担相关法律责任。其著作权各归其原作者或其出版社所有。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容,侵犯到您的权益,请在线联系站长,一经查实,本站将立刻删除。 本文来自网络,若有侵权,请联系删除,如若转载,请注明出处:https://yundeesoft.com/56278.html