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半导体激光器一般具有质量轻、调制效率高、体积小等特点，在民用、医疗等领域应用比较广泛。大功率半导体激光器的研究从20世纪80年代开始，从未停止，随着半导体技术与激光技术的不断发展，大功率也半导体激光器在功率输出、功率转换、可靠性等方面取得了比较大的进步。
1）阈值电流
当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。影响阈值的几个因素：
（1）晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。
（2）谐振腔的损耗小，如增大反射率，阈值就低。
（3）与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结的阈值电流大于30000A/cm2；单异质结约为8000A/cm2；双异质结约为1600A/cm2。现在已用双异质结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。
（4）温度愈高，阈值越高。100K以上，阈值随T的三次方增加。因此，半导体激光器最好在低温和室温下工作。
2）方向性
由于半导体激光器的谐振腔短小，激光方向性较差，在结的垂直平面内，发散角最大，可达20°-30°；在结的水平面内约为10°左右。
3）效率
量子效率η＝每秒发射的光子数／每秒到达结区的电子空穴对数77K时，GaAs激光器量子效率达70％－80％；300K时，降到30％左右。功率效率η1＝辐射的光功率／加在激光器上的电功率由于各种损耗，目前的双异质结器件，室温时的η1最高10％，只有在低温下才能达到30％－40％。
4）光谱特性
由于半导体材料的特殊电子结构，受激复合辐射发生在能带（导带与价带）之间，所以激光线宽较宽，GaAs激光器，室温下谱线宽度约为几纳米，可见其单色性较差。输出激光的峰值波长：77K时为840nm；300K时为902nm。
OBIS LX/LS系列，相比于普通的半导体激光器，在波长稳定性、功率稳定性、光束质量上有明显优势。是高质量的光源，适合共聚焦显微镜、DNA测序、流式细胞仪，以及其它需求高品质光源的应用。
输出波长：
375nm; 405nm; 413nm; 422nm; 445nm; 458nm; 473nm; 488nm; 505nm; 514nm; 520nm; 532nm; 552nm;561nm; 594nm; 637nm; 640nm; 647nm; 660nm; 685nm; 730nm; 752nm; 785nm; 808nm; 980nm。
特点：
>功率稳定，光束质量好
>体积小(70*40*38mm)，易于集成
>数字、模拟调制
产品系列：
1. OBIS LX系列，半导体激光器；
2. OBIS LS系列，光泵半导体激光器；
3. OBIS FP LX/LS， 带光纤输出。
上图是OBIS LX系列的光斑；下图是OBIS LS系列的光斑
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