英飞凌科技推出全新Excelon F-RAM存储器

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据外媒报道，汽车半导体解决方案供应商英飞凌（Infineon Technologies）推出具有业界最高密度的全新8兆位和16兆位Excelon F-RAM存储器（铁电存储器），可满足下一代汽车和工业系统的永久数据采集要求，从而有助于防止在恶劣的操作环境中丢失数据。

新存储器通过低引脚数接口支持1.71 V至3.6 V的宽电压范围，以及高达54 MB/s的数据吞吐量。该存储器还采用符合RoHS标准的24-ball FBGA封装。

英飞凌汽车事业部RAM产品线负责人Ramesh Chettuvetty表示：“随着自动化程度的提高和互联传感器的快速发展，市场对数据采集的需求也在不断增长，随之而来的是对更高密度的存储器的需求，以在发生电源故障时可靠、立即永久地采集数据。而我们最新的Excelon F-RAM不仅可实现超低功耗运行，且可在关键数据采集应用中提供优质性能和可靠性。”

英飞凌Excelon F-RAM是下一代铁电RAM存储器。通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和无限读/写循环耐久性相结合，该存储器可为关键应用提供业界最节能的永久存储性能。串行存储器的读写性能可媲美具有并行接口和35 ns访问时间的电池供电静态RAM。凭借高写入速度、长寿命和行业领先的能效，Excelon F-RAM是汽车应用以及工业和医疗电子应用中数据记录的理想存储器。

英飞凌还提供一系列串行和并行F-RAM产品组合，存储密度从4 KBit到16 Mbit不等，且支持1.8 V到5.5 V的工作电压范围。该F-RAM存储器可用于各种电源，且支持100万亿次读写周期，因此是写入密集型应用程序的理想解决方案。这些存储设备适用于需要高性能、高可靠性和具有成本效益的永久存储解决方案的应用。