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MOSFET愿意：MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属层(M)的
栅极隔着氧化物（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
但随半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。
一、P型MOS管
1. P-MOS的GS电压是反偏的，即S极的电压大于G极的电压，电流的流向为从S->D。
2. 怎么快速判断是P-MOS还是N-MOS管呢？
1）箭头往里指的就是P型，或者体二极管正极连的是S极就是P管。
2）箭头往外指的就是N型，或者体二极管正极连的是D极就是N管。
二、MOSFET极间电容
1. Ciss: input Capacitance
将漏源短接，用交流信号测得栅极和源极之间的电容，由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，当输入电容充电至
阈值电压时器件才能开启，放电至一定值时器件才可以关断，因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
当输入电容Ciss的值越小，充电时间越短，MOS管导通也越快；反之，但输入电容Ciss越大，充电时间越长，MOS管
导通也越慢。MOS管从一点点打开到完全打开，如果这个过程越长，MOS管是越热的。
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