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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种肖特基二极管及其制造方法”的专利，公开号CN A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括半导体基底、第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，半导体基底包括第一表面区域，第一掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底中，第一掺杂区采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到。第二掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底上，且第一掺杂区和第二掺杂区沿第一表面区域的第一方向交错设置。第二掺杂区采用第二掺杂浓度的铝离子掺杂得到，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。从第一表面区域延伸至半导体基底中的第三掺杂区，采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到第三掺杂区的区域面积大于第掺杂区的区域面积由此提升二极管的反向耐压性能和减小正向导通压降。
本文源自金融界
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