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电子元器件在设计生产时，要进行一系列的可靠性试验来保证产品质量，提高合格率。本文介绍电子元器件可靠性试验方法与对应的可靠性试验会暴露哪些缺陷。（可左右拖动表格）
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试验类型 |
可靠性基础试验方法 |
试验目的 |
可能暴露的缺陷 |
应用 |
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电应力＋热应力试验 |
高温静态老炼 |
剔除有隐患的元器件或剔除有制造缺陷的元器件（剔除早期失效的元器件） |
扩散缺陷 |
筛选试验 |
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高温动静态老炼 |
筛选试验 |
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高温交流工作 |
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高温反偏 |
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低温工作 |
热载流子效应 |
可靠性评价 |
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气候环境应力试验 |
高温贮存 |
考核元器件在高温条件下工作或贮存的适应能力 |
电稳定性 |
鉴定检验 |
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温度循环 |
考核元器件在短期内反复承受温度变化的能力及不同结构材料之间的热匹配性能 |
封装的密封性 |
鉴定检验 |
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热冲击 |
考核元器件在突然遭到温度剧烈变化时的抵抗能力及适应能力的试验 |
封装的密封性 |
鉴定检验 |
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交变湿热试验 |
确定元器件在高温、高湿度或伴有温度湿度变化条件下工作或贮存的适应能力 |
外引线腐蚀 |
鉴定检验 |
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与封装有关的试验 |
内部水汽含量试验 |
测定在金属或陶瓷气密封装器件内的气体中水汽的含量，它是破坏性试验 |
封装内水汽含量 |
鉴定检验 |
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键合强度试验 |
检验元器件键合处（如微电路封装内部的内引 线与芯片和内引线与封装体内外引线端）的键合强度 |
封装内水汽含量 |
鉴定检验 |
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芯片剪切强度试验 |
考核芯片与管壳或基片结合的机械强度 |
芯片粘片 |
鉴定检验 |
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与引线有关的试验 |
外引线可焊性试验 |
考核外引线低熔点焊接能力 |
外引线可焊性 |
鉴定检验 |
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涂敷层附着力试验 |
考核外引线各涂敷层的牢固性 |
外引线涂敷层牢固性 |
鉴定检验 |
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外引线抗拉试验 |
考核外引线在与其平行方向拉力作用下的引线牢固性和封装密封性 |
引线牢固性 |
鉴定检验 |
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外引线抗弯试验 |
考核外引线受弯曲应力作用（外引线在与其垂直方向的力）时的劣化程度 |
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外引线抗疲劳试验 |
考核外引线抗金属疲劳的能力 |
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外引线抗扭矩试验 |
考核外引线受扭转应力作用（外引线在与其垂直方向的力）时的劣化程度 |
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与标志、标识有关的试验 |
耐溶性试验 |
验证当器件受到溶剂作用时，其标志是否会变模糊 |
标记附着性差 |
鉴定检验 |
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特殊试验 |
静电放电敏感度试验 |
考核元器件抗静电放电能力 |
抗静电能力 |
鉴定检验 |
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X射线透视 |
检测元器件封装内缺陷，特别是密封工艺引起的缺陷和诸如多余物、错误的内引线连接、芯片粘结空洞等内部缺陷 |
芯片粘片 引线形状 封装异物 芯片裂纹 |
分析 筛选试验 |
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声学扫描显微镜 |
利用超声波不同材料接触面的反射特性非破坏性地查找物理缺陷 |
封装材料的空洞、裂纹和分层；芯片的裂纹和粘结空洞等 |
分析 筛选（主要用于塑封器件） |
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气候环境应力试验 |
盐雾 |
考核元器件在盐雾环境下的抗腐蚀能力 |
外壳腐蚀 外引线腐蚀 金属化腐蚀 电参数漂移 |
鉴定检验 可靠性评价 |
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低气压试验 |
考核元器件对低气压工作环境的适应能力 |
绝缘（电离、放电和介质损耗） PN 结温度 |
可靠性评价 |
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机械环境应力试验 |
恒定加速度 |
确定元器件在离心加速度作用下的适应能力或评定其结构的牢靠性；检验并筛选掉粘片欠佳、内引线与键合点强度较差的器件 |
封装结构缺陷 芯片粘片 引线键合 芯片裂纹 机械强度 |
鉴定检验 筛选试验 可靠性评价 |
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扫频振动 |
寻找被试验的试验样品的各阶固有频率及在这个频率段的耐振情况 |
引线键合 芯片粘片 芯片裂纹 |
鉴定检验 可靠性评价 |
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振动噪声 |
考核在规定振动条件下有没有噪声产生 |
封装异物 封装结构缺陷 |
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振动疲劳 |
考核在规定的频率范围内，外载荷的长时间激励对集成电路封装的影响 |
引线键合 芯片粘片 芯片裂纹 封装结构缺陷 |
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机械冲击 |
确定元器件受到机械冲击时的适应性或评定其结构的牢靠性 |
封装结构缺陷 封装异物 芯片粘片 引线键合 芯片裂纹 外引线缺陷 |
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与封装有关的试验 |
密封-粗检漏 |
确定具有内空腔的元器件和含有封装的元器件的气密性 |
封装的密封 |
鉴定检验 筛选试验 可靠性评价 |
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密封-细检漏 |
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PIND 试验 |
检验封装腔体内是否存在可动多余物，可动导电多余物可能导致微电路等的内部短路失效 |
封装异物 |
鉴定检验 筛选试验 可靠性评价 |
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特殊试验 |
扫描电镜 |
通过对入射电子与样品表面互相作用产生二次电子信号检测得到样品表面放大的图像 |
芯片表面缺陷 引线材料表面缺陷 键合缺陷 |
分析 |
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能谱分析 |
通过对入射电子与样品表面互相作用产生俄歇电子信号检测得到样品表面检测点的元素成分 |
表面成分分析 |
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辐射应力试验 |
总电离剂量辐照 |
对已封装的半导体集成电路进行钴60γ射线源电离辐射总剂量作用，以评价低剂量率电离辐射对器件的作用（明显的时变效应） |
漏电流增大 工作速度改变 参数和功能失效 增益下降 衰减增大 翻转 烧毁 闩锁 暗电流增大 |
鉴定检验 可靠性评价 |
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中子辐射 |
检测和测量半导体器件关键参数在中子环境中的退化与中子注量的关系 |
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单粒子效应 |
获得器件单粒子翻转截面、锁定截面与入射离子LET的关系，测定半导体器件单粒子翻转与锁定的敏感性；考核MOSFETs单粒子烧毁和栅穿的敏感度 |
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