文字游戏？英特尔CPU工艺一步跨入4nm时代？

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提起CPU的制程工艺，当前最先进的代表就是台积电和三星旗下的5nm EUV，并已经用于苹果A14、海思麒麟9000、高通骁龙888（还有骁龙780/778）和三星Exynos 2100（还有Exynos 1080）等5G SoC的生产制造了（联发科最强大的天玑1×00目前还停留在6nm）。如果不出意外，2022年我们还将迎来这两大代工厂4nm和3nm工艺的量产。

作为PC领域的巨头，英特尔目前最先进的制程工艺为10nm SuperFin（可以理解为10nm+），我们熟悉的第11代酷睿Tiger Lake平台就都是基于该工艺打造。

5nm VS 10nm，看起来英特尔已经大幅落后台积电和三星了？

实际上，英特尔在制程工艺的标准制定上一直都比竞争对手更严格。英特尔表示，此前的工艺节点命名规则始于1997年，都是以实际的栅极宽度来定义xx nm（如10nm），但如今友商在工艺命名和栅极宽度已经严重不匹配，因此英特尔启用了新的命名方式，便于产业、客户、消费者理解。

比如，英特尔早期14nm工艺就等基本同于三星和台积电的10nm工艺，而英特尔的10nm工艺更是在鳍片间距、栅极间距、逻辑单元高度、最小金属间距和逻辑晶体管密度等指标上就足以和台积电/三星旗下的7nm工艺抗衡。

换句话说，英特尔属于非常“老实”的类型，其曾连续多年将14nm打磨成14nm+、14nm++和14nm+++也没有改名12nm。

英特尔在早些年一直在引领半导体工艺的发展，很多新技术新材料都是英特尔首发

在过去的很长一段时间，英特尔总在强调自家的工艺才是行业的最标准命名，其他家多有掺水成分，希望消费者不要被轻易忽悠。

但是，将学习成本转嫁给消费者，让大家了解14nm+++比别人10nm好，10nm比别人7nm棒？只能说任重而道远。

如今，英特尔终于想开了。

在7月27日凌晨的工艺及封装技术大会上，英特尔公布了最新的工艺路线图，旗下即将量产的第3代10nm Enhanced SuperFin工艺（10nm ESF）将会改名为“Intel 7”，原计划的7nm工艺则会改名为“Intel 4”。

请注意，无论Intel 7还是Intel 4抑或未来的Intel 3和Intel 20A都没有“nm”的后缀——潜台词就是Intel 7有着对飚竞争对手7nm工艺的性能，Intel 4则堪比4nm。

据悉，Intel 7工艺的每瓦性能将提升10%~15%（注意不是IPC性能，而是每瓦性能哦，翻译过来是能效比更高），其即将用于2021年底问世的第12代酷睿Alder Lake平台（采用大小核 的 混合架构设计），以及2022年推出的采用多芯片设计Sapphire Rapids 的数据中心处理器。

2022下半年，我们将会看到Intel 4工艺的试产，而它也是英特尔旗下首次应用EUV光刻工艺的FinFET工艺，每瓦性能提升20%，首发平台为Meteor Lake 和 Granite Rapids。

再往后是Intel 3工艺，它也是英特尔旗下的最后一代FinFET工艺，每瓦性能提升18%，2023年下半年开始生产。

到了Intel 20A，英特尔将正式放弃FinFET晶体管技术，改用最新的GAA晶体管，并引入PowerVia和RibbonFET两大突破性技术，前者是英特尔首创的供电技术（业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输），后者则是GAA晶体管的英特尔技术实现，预计2024年问世。好消息是，Intel 20A工艺已经被高通相中，可能用于生产当年的骁龙8系列移动平台。

如果你对FinFET和GAA晶体管技术感兴趣，可参考《“芯”希望来自新工艺！EUV和GAAFET技术是个什么鬼》这篇文章。

改名之后，英特尔制程工艺在字面上就能追上台积电和三星了，但Intel 7面对的则是对手旗下的第二代5nm工艺，Intel 4对飚的则是对手的4nm/3nm，而它们之间究竟谁更强一些，还得等时间来验证。