在电子产品应用热电输运技术,能够提高转化效率,增强抗辐射性

在电子产品应用热电输运技术,能够提高转化效率,增强抗辐射性文 | 咸鱼永不放盐编辑 | 咸鱼永不放盐«——【·前言·】——»上个世纪的物理学主要是以弱耦合系统的研究为主导,通常描述这些系统的有效场论,可

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在电子产品应用热电输运技术,能够提高转化效率,增强抗辐射性

文 | 咸鱼永不放盐

编辑 | 咸鱼永不放盐

«——【·前言·】——»

上个世纪的物理学主要是以弱耦合系统的研究为主导,通常描述这些系统的有效场论,可以用弱相互作用的粒子理解,关于凝聚态系统,其中一个重要里程碑是所谓的朗道费米液体模型,它描述了自然界中绝大多数的金属和绝缘体。

在动量空间中,这个面位于k=kF处,其中,kF被称为费米动量,在费米面附近的低能激发是弱相互作用的粒子,称为准粒子,尽管基本费米子之间可能存在相互作用,但这些准粒子还是具有与基本费米子相同的电荷和统计性质。

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«——【·规范重力二元性·】——»

在上图中,用简单直观的思想介绍了规范/引力对偶,AdS-CFT对偶关系,即反德西特空间/共形场论对偶,最初是在弦论的背景下发展起来的,关于规范/引力对偶在凝聚态物理中的作用,已经有了很好的综述文章。

AdSd+1是一个d+1维、具有负曲率的最大对称度量空间,其中最大对称度指的是它具有最多的独立杀死矢量,AdSd+1的一个方便的参数化形式是Poincaré坐标系,ds2=L2z2(dz2+ημνdxμdxν)。

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而AdS/CFT对偶可以用以下方式表示,AdSd+1真空中的d+1维经典引力理论,与强耦合的平坦空间中的d维CFT的大N极限是等价的,其中N表示每个格点上的自由度。

为了理解上述陈述,需要澄清三个问题。为什么要考虑共形场论,如何将d+1维理论的自由度与d维理论的自由度相匹配,为什么大N极限下对偶的CFT是强耦合的,对于第一个问题的答案非常简单,只要对共形场论和AdS空间的基本性质有所了解即可。

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其中,ημν是具有闵可夫斯基签名(1, d−1)的对角平坦度量,L是一个叫做AdS半径的常数参数,d+1个坐标是(t,xi,z),而在接下来的讨论中,希腊指标表示边界坐标{t,xi}。

可事实上,AdSd+1的等度规群SO(2,d)恰好是addimensional共形场论的对称群,如果AdS空间的某个区域存在量子场论,自然可以假设它在AdSd+1的对称群下是不变的,但为了直观理解第二个问题,仍需要借助全息原理。

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这个原理认为,d+1维空间中的引力理论在任意局域区域内的自由度数目,与该区域边界上的量子场论的自由度数目相似,为了理解这个基本原理,需要使用著名的贝肯斯坦-霍金面积定律,它描述了黑洞的熵。

研究人员根据该定律,得出黑洞是热力学对象的结论,它的熵与其视界的面积成比例,即SBH=A4Gd+1,其中A是视界的面积,Gd+1是牛顿常数的新状态单位,由于考虑到黑洞的熵必须是相同体积中其他任何物体的最大熵。

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因此,每个空间区域的最大熵与边界的面积成比例,而不是与封闭区域的体积成比例,这个最大熵比在相同空间区域中的局域量子场论要小得多,后者的状态数目为N∼eV,而最大熵S∼logN与体积V成比例。

相比之下,空间中一个区域的最大熵,可以与在d维中生活的局域量子场论的自由度数目Ndof相关,AdS/CFT对偶是这个原理的一个特殊实例,其中引力理论存在于AdSd+1真空中,其自由度则编码在共形边界上。

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为了澄清这一点,研究人员计算了AdSd+1的共形边界的面积,使用嵌入在常半径z和时间t上的度规,可以得到A=∫z→0dd−1x√gd−1=∫z→0dd−1xLd−1zd−1,这是共形边界所在的位置,所以gd−1是嵌入度规的行列式,取极限z→0。

而积分由于z→0极限和dd−1x的积分测度产生发散,需要正规化,为了做到这一点,需将积分进行正则化至一个小值z=,并将空间包围在闭合的空间体积Vd−1中,图中,研究人员对规范/引力对偶,进行了简单的介绍。

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AdS-CFT对偶是关于反德西特空间和共形场论之间的等价性,并且AdS是一个具有负曲率的最大对称度规空间,而CFT是一个量子场论,根据AdS/CFT对偶,AdS空间中的引力理论与边界上的CFT之间存在等价关系。

为了理解这个对偶关系,首先考虑了共形场论和AdS空间的基本性质,AdS空间的等度规群与共形场论的对称群非常相似,这是对偶关系的基础,而接下来需要研究的是,AdS空间和边界量子场论中的自由度匹配的问题。

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根据全息原理,AdS空间中的自由度数目,与边界上的量子场论的自由度数目相似,通过计算AdS空间边界的面积来理解这一点,并将其与量子场论中的自由度进行比较,还讨论了大N极限下对偶的CFT为什么是强耦合的问题。

同时,研究人员注意到,对于经典引力理论来说,引力激发的典型长度必须远大于普朗克长度,这是因为在经典引力理论中,引力激发的典型长度与AdS空间的半径L有关,通过匹配引力理论和CFT中的自由度数目,可以得到一个条件,即L与N之间存在着关系。

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CFT是强耦合的问题,与引力理论中额外的径向坐标z的物理解释有关,将z的截断R与CFT的UV截断相关联,并且把额外的径向坐标与重整化群流联系在一起,种种联系说明了CFT是强耦合的。

可从引力理论的角度来看,靠近共形边界的物理是大体积物理,而靠近AdS黑洞视界的物理则是小尺度物理,相比之下,从量子场论的角度来看,大体积物理对应于小尺度的UV物理,反之亦然。

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通过上述讨论,可以证明AdS/CFT对偶的合理性,并阐明了CFT中的主要场与引力理论中的场之间的关系,而为了计算强耦合CFT中的进一步可观测量,需要一种将引力理论的可观测量与CFT中的可观测量联系起来的方法。

方法也很简单,可以通过在CFT Lagrangian中添加局域算符的源来实现,这个源可以通过与引力理论中的场的边界条件相联系。

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通过这种方法,可以计算强耦合CFT中的可观测量,AdS/CFT对偶为我们理解强耦合量子场论提供了一种有力的工具,从经典引力理论的角度来计算CFT中的物理量。

当r→∞时,场的主导r依赖行为,可以由一个适当的边界条件在视界处唯一确定,在AdS空间中,有一个从体内场到边界场的一对一映射关系,实际上,对于每个局域算符O(x),都对应一个源h(x),该源是一个体内场h(xμ,z)在AdS空间中的边界值。

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为了推断哪个场应与给定的算符相关联,对称性起到了很大的帮助作用,而由于没有完全一般的规则,作为一个经验法则,既然引力部分的场的内部对称性,能在对偶场论中得到保留,通常情况下可以说,体内场的自旋对应于边界场论中的对偶算符的自旋。

这时就需要用一个定量的例子,来分析一个量子场论的一个非常基本的量,即应力-能量张量Tμν。

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利用前面的规则编码,使其到对偶的引力部分中,特别地,Tμν的源应该是一个张量gμν,为了获得一个规范不变的耦合项∫ddxTμν(x)gμν(x),gμν(x),应该是一个对应于局域平移不变性的边界值的规范场。

当讨论的场是度规张量gab(xμ,r)时,其边界值为limr→∞gab(xμ,r)=gμν(x),而其中拉丁指标表示体内坐标,前述方程的右边应该理解为,将体内度规嵌入到r=const的超曲面上,前述例子使能够作出一个重要的观察。

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但事实上,刚刚解释了度规张量gμν,因为对偶场论具有全局平移和旋转不变性所以在引力体内源变形不变性的情况下,源于对偶场论中的应力-能量张量Tμν,它是一个全局守恒流(∂μTμν=0)

在此基础上,可以断言,在引力方面,全局对称性正以大规范变换的形式出现,换句话说,在规范理论中的全局对称性,与对偶引力理论中的规范对称性之间存在对应关系,而场与算符之间的这种联系,使能够将对偶表达为分区函数之间的相等关系。

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它作为这个框架中的一切,仍然是个猜想,断言CFT的分区函数ZCFT[{h(x)}],等于对偶引力理论的分区函数ZAdS[{h(xμ,z)}],ZCFT[{h(x)}] =ZAdS[{h(xμ,r)}],而其中{h(x)}是与各个局域算符相关联的所有源的集合,{h(xμ,r)}是体内场的集合。

对于这个方程的右边,除了在大N极限下,以及这个引力理论变成经典理论的情况之外,没有一个非常有用的概念。在这些极限下,可以通过鞍点近似来进行路径积分,而对偶的表述变成了ZCFT[{h(x)}] =eiSAdSd+1[{h(xμ,r)}]∣∣∣r→∞。

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其中,SAdSd+1[{h(xμ,r)}]∣∣r→∞是在运动方程的一个解上,评估的经典引力作用,能够形式化AdS/CFT对应的第一个操作规则,规范/引力对偶是一个将分区函数相关联起来的对应关系,该对应关系将dd维CFT的分区函数,与AdSd+1中的引力理论的动作关联在一起。

所以我们可以得知,ZCFT[{h(x)}] ↔eiSAdSd+1[{h(xμ,r)}]∣∣∣r→∞。CFT的算符,与体内场的关系按照以下规则进行,AdSd+1中的场↔CFTd中的局域算符引力场的自旋↔CFT中,局域算符的自旋算符的源通过体内场,在边界处的行为编码在引力方面。

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«——【·温度和化学势·】——»

在设定了AdS/CFT对应的基本原理之后,现在需要讨论它在真实世界系统中的应用,限制在可能的凝聚态应用中,必须面对如何在之前讨论的全息框架中引入温度,和化学势的概念的问题。

具体来说,只需要在引力中引入温度,但一个自然的对象是黑洞,黑洞具有自己温度的热对象,并且遵守热力学定律。事实证明,渐近反德西特黑洞的引力对偶继承了体内黑洞的全部热力学性质。

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更具体地说,最简单的渐近AdS黑洞解是Einstein方程的AdS-Schwarzschild解,由度规给出,ds^2 = L^2/z^2(-f(z)dt^2 + dz^2/f(z) + dx_idx_i),f(z) = 1 – (z_h/z)^d_h,在z=z_h处,gtt为零,并且可以证明这是一个真正的黑洞视界。

而黑洞的温度恰好是对偶场论的温度,即:T = d/4πz_h。在同样的精神下,对偶场论的熵恰好是黑洞的熵,可以通过引入面积定律来计算,即,S = S_Vd-1 = L^(d-1)/4G^(d+1)z_h^(d-1),其中G^(d+1)是d+1维牛顿常数,S_Vd-1是对偶场论的d-1维空间体积。

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在定义了温度和熵之后,所有其他热力学量都可以通过基本热力学关系来求得,通过这种方式,可以用经典引力体系的视界半径,和其他参数来表达对偶场论的热力学,但由于大多数典型的凝聚态设置在有限的电荷密度下,还需要理解有限化学势情况下的引力对偶。

也就是说,还需找到具有U(1)守恒对称性的体系的引力类比,解决这个问题可以澄清规范/引力对偶的一个重要方面,以及局域和全局对称性之间的对应关系,如前所述,对偶强耦合理论中的全局共形对称性,对应于引力体系中的局域微分不变性。

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这个观察建议了一般的对应关系:引力理论中的局域规范对称性对应于对偶场论中的全局对称性,要描述全局U(1)对称性的物理,应该在我们的体积空间中添加一个Maxwell场,因此最简单的引力作用形式即是爱因斯坦-麦克斯韦引力。

R_ab – (1/2)g_ab R – (d(d-1))/2L^2 g_ab = -κ^(2(d+1))q^2 T_ab,其中T_ab为应力能张量,T_ab = (1/4)g_ab F_cd F^cd – F_ac F_b^c,κ^(d+1),和q分别是引力和Maxwell耦合常数,电磁场强度的运动方程为 ∇_a F_ab = 0,其中∇_a是通常的协变导数。

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如果想要得到有限密度ρ,需要在体积中开启规范场,使得J^t的时间分量〈J^t〉=ρ具有非零的期望值,但是,根据标准的词典,场在共形边界上的值充当了对偶算符的源,综合起来,记住在对偶层面上,电荷密度ρ的源是化学势μ。

为了找到有限电荷密度系统的引力对偶,需要施加以下条件,当z趋向于0时,At=μ, 这是第一个基本条件,第二个条件是希望在远大于化学势μ的能量尺度上恢复标度不变性,也就是说空间-时间在渐近AdS时是渐近AdS的。

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«——【·结论·】——»

在这个综述中,概述了AdS/CFT技术在分析强耦合凝聚态系统中的一些可能应用,具体而言,关注展示动量耗散机制的全息模型,重点关注其热电输运性质。

而最重要的结果是,全息学坚持认为,只需要四个现象学参量,就足以完全确定强关联等离子体中的六个独立输运系数。

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无论是从理论上还是实验上,都还需要进行更多的工作,从理论的角度来看,找到一个稳定的黑洞解,自然地包含了所有铜氧化物的标度律,从实验的角度来看,需要对高温超导体奇异金属相的热输运系数进行更仔细的分析。

以便与全息理论预测进行有意义的比较,这实际上奠定了一个极为引人注目的情景,即可能是首次,弦论物理学家可以与凝聚态物理实验者并肩工作。

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参考文献

1.LD Landau and EM Lifshitz, “Course of Theoretical Physics, Volume 5: Statistical Physics, Part 1, 3rd Edition”, Pergamon Press, 1980. [Google Scholar]

2.JG Bednorz and KA Müller, “Possible High Tc Superconductivity in the Ba-La-Cu-O System”, Zeitschrift für Physik B Condensed Matter, Vol. 64, pp. 189-193, 1986. [CrossRef], [Google Scholar]

3.M. Tinkham, “Introduction to Superconductivity”, 2nd Edition, Dover Publications, Oxford, 2004. [Google Scholar]

4.NE Hussey, “Transport Properties of a Two-Dimensional Electron System”, Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 20, p. , 2008. [CrossRef], [Web of Science®], [Google Scholar]

5.CM Varma, “Marginal Fermi Liquid Theory for High-Temperature Superconductors”, Springer US, Boston, Massachusetts, 1991, p. 19. [CrossRef], [Google Scholar]

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