本源量子申请一种光刻方法以及光刻胶掩膜专利,能够减小光刻胶大面积涂覆时应力积累而引起开裂的风险

本源量子申请一种光刻方法以及光刻胶掩膜专利,能够减小光刻胶大面积涂覆时应力积累而引起开裂的风险金融界 2024 年 11 月 27 日消息 国家知识产权局信息显示 本源量子计算科技 合肥 股份有限公司申请一项名为 一种光刻方法以及光刻胶掩膜 的专利 公开号 CN A 申请日期为 2023 年 5 月

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金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请一项名为“一种光刻方法以及光刻胶掩膜”的专利,公开号CN A,申请日期为2023年5月。

专利摘要显示,本申请公开了一种光刻方法以及光刻胶掩膜,属于光刻工艺技术领域。该光刻方法,包括:形成光刻胶层覆盖晶圆表面;在所述光刻胶层形成沟道以将所述光刻胶层分割成多个彼此独立且相互分离的光刻胶单元;以及,在所述光刻胶单元形成光刻图形,并利用所述光刻图形在所述晶圆上形成具有对应图形的元件。该光刻胶掩膜,包括:形成于晶圆表面的多个彼此独立且相互分离的光刻胶单元,且所述光刻胶单元具有用于在所述晶圆上形成对应元件的光刻图形。本申请将光刻胶层分割成多个彼此独立且相互分离的光刻胶单元释放了应力,从而能够减小光刻胶大面积涂覆时应力积累而引起开裂的风险。

本文源自金融界

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