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金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“沟槽的刻蚀方法”的专利，公开号CN A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种沟槽的刻蚀方法，在采用BOSCH刻蚀工艺刻蚀深沟槽时，在第一刻蚀处理的阶段，同时通入刻蚀气体SF6和钝化气体C4F8，SF6作为刻蚀气体，C4F8与外延层反应并形成保护外延层/沟槽表面的nCF2高分子钝化膜，SF6先与nCF2高分子钝化膜反应，再与外延层反应，使得参与外延层刻蚀反应的等离子变少，从而实现边保护外延层边刻蚀外延层的目的，减少单位时间内反应物和反应副产物的生成，降低了晶圆边缘区域的刻蚀速率，降低晶圆中间区域与边缘区域的刻蚀速率差异，从而降低晶圆中间区域与边缘区域的沟槽刻蚀深度差异，保证了后续沟槽填充的顺利进行，改善了器件的电性结果。
本文源自金融界
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