自主研发！国内首条28/22nm RRAM生产线建成，国产“芯”崛起

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芯片技术呈阶梯式递增是对现有半导体市场的最好形容。一方面，智能信息技术的发展，人们对手机、PC端等设备性能需求的不断提高，促使芯片厂商加速对硅基半导体芯片的研发。另一方面，大型工业设备及零售商小型设备、智能汽车、智能家居因对数据运算和信息处理能力的需求较低，搭载其中的处理器芯片的性能研发进展相对较慢。由此便产生了半导体芯片市场的两极分化。

之所以提起这个，是因为近期国产半导体成功建成国内首条28/22纳米 Re RAM 12英寸晶圆芯片生产线。2022年2月18日消息。2022年2月16日，杭州日报报道：由国产厂商昕原半导体主导建设的国内首条具备自主研发技术和设备自研能力的28/22纳米 Re RAM 12寸中试生产线顺利建成。

其中用于该芯片生产线的自主研发设备均完成了装机验收工作，并完成了中试线工艺流程的通线和流片试生产。Re RAM 12寸中试生产线的顺利建成，将推动国产半导体芯片供给链的完善，提高国内芯片供给链的稳定性，推动国产半导体的多元化、平稳化、长远化发展。

Re RAM是什么？答：Re RAM又称非易失性阻变式存储器，简单来说就是一个存储处理器。目前PC端市场广泛流通的是NAND闪存和DRAM内存，事实上，除了这两类存储芯片，本文提到的Re RAM也是存储芯片。只不过因为生产难度大，被许多厂商放弃。据了解，Re RAM的写入寿命可达100万次。

那么，Re RAM生产线的建成，给国产半导体厂商带来的具体改变是什么呢？最明显的是加速实验室实践成果的转变。在现有的存储芯片市场中，传统存储芯片工厂因产能紧缺、资源有限，导致迭代速度慢，从而阻碍了工艺的研发进展。而实验室与实际成果的转变，是困扰我们发展半导体行业的一大问题。

论逻辑芯片设计、研发能力，我们并不比任何国家差。但在实际成果的转变过程中，却总是面临着设计技术与设备基础不对等的问题。拿本文提到的阻变存储器举例，虽说国内各大科研院能够在实验室中完成对阻变存储器的更新换代，进而在逻辑芯片研发能力上领先国外。但没有标准的12英寸阻变存储器量产产线，如何有效地推动实验成果向实际量产、应用的转变成为一个现实又不可规避的问题。

昕原半导体基于自研技术打造的28/22纳米Re RAM 12寸中试线，则很好的解决了困扰我们Re RAM由理论向实践效果转化的量产、投用问题。更何况昕原半导体建成的28/22纳米Re RAM 12寸中试线具备先进的独立研发能力和生产能力。汲取了代工厂和实验室的长处，有利于推动Re RAM相关产品的快速变现，进而提高国产Re RAM存储器在市场中的竞争力，形成我们的品牌优势。

对比DRAM、NAND存储芯片，Re RAM有何优势呢？答：使用寿命更长，稳定性更高，性能也是与DRAM、NAND不相上下。昕原半导体负责人表示，由于Re RAM存储器的生产难度较大，因此赛道相对宽广。国内与国外之间的技术差距也比较小，技术壁垒也尚未形成。公司有信息在Re RAM领域中实现对国外Re RAM技术的赶超。

对于昕原半导体完成国内首条28/22纳米 Re RAM 12英寸晶圆芯片生产线这件事情，大伙有什么想表达的呢？综合昕原半导体Re RAM存储器生产线建成后，对国产半导体行业的推动作用，你有什么感想呢？赶快在下方留言、评论吧。

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