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场效应管(Field-Effect Transistor)简称FET,是一种典型的电压控制型半导体器件,具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点,但容易被静电击穿。
场效应管有三只引脚,分别为漏极(D)、源极(S)、栅极(G)。在电工电路图中,场效应管以专用的图形符号和电路标识进行体现。场效应管在电工电路图中的标识通常分为两部分,一部分是图形符号,标识场效应管的类型,一部分是字母+数字,标识该场效应管在电路中的序号及型号等信息。
据图可知,图形符号体现出了场效应管的基本类型;引线由图形符号两端伸出,与电路图中的电路线连通,构成电子线路;电路标识通常提供了场效应管的类别、名称、序号以及场效应管型号等参数信息。
在实际应用中,场效应晶体管的类型多种多样,相对应的图形符号也有所区别,因此,了解不同类型的场效应晶体管的图形符号,对识读电工电路图有重要意义。如表所示为常见场效应管的图形符号以及外形。
结型场效应管是在一块N型(或P型)半导体材料两边制作P型(或N型)区,从而形成PN结构成。
与中间半导体相连接的两个电极称为漏极Drain(用D表示)和源极Source (用S表示),而把两侧的半导体引岀的电极相连接在一起称为栅极Gat (用G表示)。
结型场效应管是利用沟道两边的耗尽层宽窄,改变沟道导电特性来控制漏极电流的。
绝缘栅型场效应管(MOS)由金属、氧化物、半导体材料制成,通常简称为MOS场效应管。绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少,改变沟道导电特性来控制漏极电流的。它与结型场效应管的外形相同,只是型号标记不同。
MOS场效应管一般被用于音频功率放大,开关电源、逆变器、电源转换器、 镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路。
在识读电路时,可根据场效应管的电路符号,识读出电路中场效应管的类型,然后再通过电路符号旁的标识信息了解该场效应管的型号以及连接关系等辅助信息,这是完成识图的第一步。如下图所示为典型收音机高频放大电路中场效应管的符号标识。
“
”在电路中表示绝缘栅型N沟道场效应晶体管,“VT1”表示该绝缘栅型场效应管在电路中的名称和序号,“2SK8439D”表示该绝缘栅型场效应管的型号。
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