二维材料载流子迁移率测试方案

二维材料载流子迁移率测试方案在过去的几年中 二维材料作为一种新型材料 受到了广泛关注 石墨烯 硼硅酸盐等二维材料的独特性质为人们所津津乐道 其中二维材料的载流子迁移率和厚度之间的关系备受研究者们的关注载流子迁移率是指在外加电场作用下 载流子在半导体或导电材料中运动的速

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在过去的几年中,二维材料作为一种新型材料,受到了广泛关注。石墨烯、硼硅酸盐等二维材料的独特性质为人们所津津乐道,其中二维材料的载流子迁移率和厚度之间的关系备受研究者们的关注

载流子迁移率是指在外加电场作用下,载流子在半导体或导电材料中运动的速率。它是评价材料导电性能的重要参数之一,直接影响着材料在电子器件中的应用。对于二维材料来说,由于其特殊的结构和电子能带特性,其载流子迁移率往往表现出与厚度密切相关的规律。

研究表明,对于常见的二维材料,如石墨烯和硼硅酸盐,随着厚度的减小,其载流子迁移率往往会显著增加。这种现象可以通过量子限制效应来解释,即在二维限制下,载流子受到量子约束,从而增加了其迁移率。可以说二维材料的载流子迁移率与厚度呈负相关的关系。

经过相关研究人员进一步分析发现,二维材料的厚度对载流子迁移率的影响主要包括两个方面:一是表面态的影响,二是电子-声子相互作用的影响。随着厚度的减小,二维材料表面态对载流子迁移率的影响会逐渐减弱,从而促讲了载流子的迁移。另外,薄层二维材料中电子-声子相互作用减弱,从而降低了电子的散射,进一步提高了载流子迁移率。

飞行时间法迁移率测量仪FlyTOF基于Oriental Spectra的MagicBox主机研制而成,配备便捷的上位机控制和数据测量软件,可助力客户进行快速、准确的测量,该系统利用飞行时间法(time-of-flight,TOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性,广泛适用于各类半导体材料,如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架(MOF)、共价有机框架(COF)等。

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